• ບບບ

ລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າທີ່ມີການສູນເສຍຕໍ່າຂອງຟິມໂພລີໂພລີລີນ Snubber ສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT – CRE

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍຜະລິດຕະພັນ

ວິດີໂອທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ຄຳຕິຊົມ (2)

ການຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຜູ້ຊື້ແມ່ນຈຸດສຸມຫຼັກຂອງພວກເຮົາ. ພວກເຮົາຮັກສາລະດັບຄວາມເປັນມືອາຊີບ, ຄຸນນະພາບສູງ, ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖື ແລະ ການບໍລິການທີ່ສອດຄ່ອງກັນຕົວເກັບປະຈຸຟິມອອກແບບມາສຳລັບ Pv Inverter , ຕົວເກັບປະຈຸຟິມ Esr ຕ່ຳ , ຕົວເກັບປະຈຸສີ່ Pins Terminalຍິນດີຕ້ອນຮັບຜູ້ບໍລິໂພກທົ່ວໂລກໃຫ້ມາສົນທະນາກັບພວກເຮົາເພື່ອການຮ່ວມມືໃນການຈັດຕັ້ງ ແລະ ໄລຍະຍາວ. ພວກເຮົາຈະເປັນຄູ່ຮ່ວມງານ ແລະ ຜູ້ສະໜອງອຸປະກອນ ແລະ ອຸປະກອນເສີມລົດຍົນທີ່ມີຊື່ສຽງຂອງທ່ານໃນປະເທດຈີນ.
ລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າ Snubber ແບບຟິມໂພລີໂພລີລີນ ທີ່ມີການສູນເສຍຕ່ຳ ສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT – ລາຍລະອຽດ CRE:

ຊຸດ SMJ-P

ລະດັບແຮງດັນທີ່ໄດ້ຮັບການຈັດອັນດັບ: 1000 VDC ຫາ 2000 VDC
ຊ່ວງຄວາມຈຸ: 0.1 uf ຫາ 3.0 uf
ໄລຍະຫ່າງການຕິດຕັ້ງ: 22.5 ມມ ຫາ 48 ມມ
ການກໍ່ສ້າງ: ການເຊື່ອມຕໍ່ຊຸດພາຍໃນແບບໄດອີເລັກຕຣິກໂພລີໂພຣພີລີນໂລຫະ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ການປົກປ້ອງ IGBT, ວົງຈອນຖັງສະທ້ອນ

ອົງປະກອບຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າແບບ snubber ທີ່ສາມາດຮັກສາຕົວເອງໄດ້, ແບບແຫ້ງ, ແມ່ນຜະລິດໂດຍໃຊ້ຟິມ PP ໂລຫະທີ່ຕັດດ້ວຍຄື້ນເປັນຮູບຊົງພິເສດ ເຊິ່ງຮັບປະກັນການຊັກນຳດ້ວຍຕົວເອງຕໍ່າ, ທົນທານຕໍ່ການແຕກຫັກສູງ ແລະ ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືສູງ. ການຕັດການເຊື່ອມຕໍ່ດ້ວຍຄວາມກົດດັນເກີນບໍ່ຖືວ່າເປັນສິ່ງຈຳເປັນ. ດ້ານເທິງຂອງຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າຖືກປະທັບຕາດ້ວຍອີພອກຊີທີ່ດັບໄຟດ້ວຍຕົນເອງ ແລະ ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ. ການອອກແບບພິເສດຮັບປະກັນການຊັກນຳດ້ວຍຕົວເອງຕໍ່າຫຼາຍ.

IMG_0397.HEIC

ຕາຕະລາງສະເປັກ

ແຮງດັນ 700V DC, Urms400Vac; Us1050V
ຂະໜາດ (ມມ)
Cn(μF) L(±1) ທ(±1) H(±1) ESR @ 100KHz (mΩ) ໂຣກ ESL (nH) dv/dt (V/μS) ອິບຄ໌ (A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
ແຮງດັນ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
ຂະໜາດ (ມມ)
Cn(μF) L(±1) ທ(±1) H(±1) ESR(mΩ) ໂຣກ ESL (nH) dv/dt(V/μS) ອິບຄ໌ (A) ອິມສ໌
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
ແຮງດັນ ສະຫະລາຊະອານາຈັກ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) ທ(±1) H(±1) ESR(mΩ) ໂຣກ ESL (nH) dv/dt(V/μS) ອິບຄ໌ (A) ອິມສ໌
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 32
ແຮງດັນ ສະຫະລາຊະອານາຈັກ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) ທ(±1) H(±1) ESR(mΩ) ໂຣກ ESL (nH) dv/dt(V/μS) ອິບຄ໌ (A) ອິມສ໌
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
ແຮງດັນ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) ທ(±1) H(±1) ESR(mΩ) ໂຣກ ESL (nH) dv/dt(V/μS) ອິບຄ໌ (A) ອິມສ໌
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
ແຮງດັນ ໄຟຟ້າສະຖິດ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) ທ(±1) H(±1) ESR(mΩ) ໂຣກ ESL (nH) dv/dt(V/μS) ອິບຄ໌ (A) ອິມສ໌
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

ຮູບພາບລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ:

ລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າທີ່ມີການສູນເສຍຕໍ່າຂອງຟິມໂພລີໂພລີລີນ Snubber ສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE

ລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າທີ່ມີການສູນເສຍຕໍ່າຂອງຟິມໂພລີໂພລີລີນ Snubber ສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE

ລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າທີ່ມີການສູນເສຍຕໍ່າຂອງຟິມໂພລີໂພລີລີນ Snubber ສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE

ລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າທີ່ມີການສູນເສຍຕໍ່າຂອງຟິມໂພລີໂພລີລີນ Snubber ສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE


ຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ:

ບໍລິສັດຍຶດໝັ້ນແນວຄວາມຄິດການດຳເນີນງານ "ການຄຸ້ມຄອງທາງວິທະຍາສາດ, ຄຸນນະພາບສູງ ແລະ ປະສິດທິພາບເປັນອັນດັບໜຶ່ງ, ລູກຄ້າສູງສຸດສຳລັບລາຄາພິເສດສຳລັບຜູ້ສະໜອງຕົວເກັບປະຈຸທົ່ວໂລກ - ຕົວເກັບປະຈຸໄຟຟ້າ Snubber ແບບຟິມໂພລີໂພລີລີນທີ່ມີການສູນເສຍຕ່ຳສຳລັບການນຳໃຊ້ IGBT - CRE, ຜະລິດຕະພັນຈະສະໜອງໃຫ້ທົ່ວໂລກ, ເຊັ່ນ: ໄນເຈີ, ສະຫະລັດອາຣັບເອມີເຣດ, ໂປຣວອງສ໌, ດ້ວຍການບໍລິການ ແລະ ການພັດທະນາທີ່ດີຫຼາຍປີ, ພວກເຮົາມີທີມງານຂາຍການຄ້າສາກົນທີ່ເປັນມືອາຊີບ. ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາໄດ້ສົ່ງອອກໄປອາເມລິກາເໜືອ, ເອີຣົບ, ຍີ່ປຸ່ນ, ເກົາຫຼີ, ອົດສະຕາລີ, ນິວຊີແລນ, ຣັດເຊຍ ແລະ ປະເທດອື່ນໆ. ຫວັງວ່າຈະສ້າງການຮ່ວມມືທີ່ດີ ແລະ ຍາວນານກັບທ່ານໃນອະນາຄົດອັນໃກ້ນີ້!
  • ບໍລິສັດປະຕິບັດຕາມສັນຍາຢ່າງເຂັ້ມງວດ, ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງຫຼາຍ, ຄຸ້ມຄ່າກັບການຮ່ວມມືໄລຍະຍາວ. 5 ດາວ ໂດຍ Mario ຈາກປະເທດການາ - 2018.10.09 19:07
    ຄຸນນະພາບສູງ, ປະສິດທິພາບສູງ, ມີຄວາມຄິດສ້າງສັນ ແລະ ຄວາມຊື່ສັດ, ຄຸ້ມຄ່າທີ່ຈະມີການຮ່ວມມືໄລຍະຍາວ! ຫວັງວ່າຈະໄດ້ຮ່ວມມືໃນອະນາຄົດ! 5 ດາວ ໂດຍ trameka milhouse ຈາກ Lahore - 2017.02.14 13:19

    ສົ່ງຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານຫາພວກເຮົາ:

    ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານຢູ່ນີ້ ແລະ ສົ່ງມາໃຫ້ພວກເຮົາ

    ສົ່ງຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານຫາພວກເຮົາ: