ລາຄາຂາຍສົ່ງຈີນ Ac Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor – CRE

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ວິດີໂອທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ຄຳຕິຊົມ (2)

ມັກຈະມຸ່ງເນັ້ນໃສ່ລູກຄ້າ, ແລະມັນເປັນເປົ້າຫມາຍສຸດທ້າຍຂອງພວກເຮົາທີ່ຈະກາຍເປັນບໍ່ພຽງແຕ່ເປັນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການທີ່ມີຊື່ສຽງ, ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະຊື່ສັດ, ແຕ່ຍັງເປັນຄູ່ຮ່ວມງານສໍາລັບລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາ.ແບັດເຕີຣີ Ultracapacitor , Capacitor ຟິມ Esl ຕ່ຳ , Snubber Capacitor ສໍາລັບ Igbt, ໃນປັດຈຸບັນພວກເຮົາມີສີ່ວິທີແກ້ໄຂຊັ້ນນໍາ.ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແມ່ນມີປະສິດຕິຜົນທີ່ສຸດທີ່ຂາຍບໍ່ພຽງແຕ່ໃນໄລຍະຕະຫຼາດຈີນ, ແຕ່ຍັງໄດ້ຮັບການຕ້ອນຮັບໃນລະຫວ່າງອຸດສາຫະກໍາສາກົນ.

ລາຄາຂາຍສົ່ງຈີນ Ac Film Capacitor - ຟິມ Metalized IGBT Snubber capacitor - ລາຍລະອຽດ CRE:

ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ

ຊ່ວງອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ	ອຸນຫະພູມປະຕິບັດສູງສຸດ, ສູງສຸດ: +105℃ອຸນຫະພູມປະເພດເທິງ: +85℃ອຸນຫະພູມປະເພດຕ່ໍາ: -40℃
ຊ່ວງຄວາມຈຸ	0.1μF～5.6μF
ແຮງດັນທີ່ຈັດອັນດັບ	700V.DC ຫາ 3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ	1.5Un DC / 10S
ປັດໄຈການກະຈາຍ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ຄວາມຕ້ານທານ insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ທົນທານຕໍ່ການປະທ້ວງໃນປະຈຸບັນ	具体见规格表
ການຕ້ານການໄຟໄຫມ້	UL94V-0
ອາຍຸໄຂ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ມາດຕະຖານອ້າງອີງ	IEC61071;GB/T17702;

ແຮງດັນ			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimension (ມມ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


ແຮງດັນ			Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimension (ມມ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	ປີ 1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ແຮງດັນ			Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	ປີ 1974	32

ແຮງດັນ			Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

ແຮງດັນ			Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

ແຮງດັນ			Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ຄຸນນະສົມບັດ

1. ພາດສະຕິກ, ຜະນຶກເຂົ້າກັນດ້ວຍຢາງ;

2. ແຜ່ນທອງແດງທີ່ເຮັດດ້ວຍກົ່ວ, ການຕິດຕັ້ງງ່າຍສໍາລັບ IGBT;

3. ຄວາມຕ້ານທານກັບແຮງດັນສູງ, tgδຕ່ໍາ, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອຸນຫະພູມຕ່ໍາ;

4. ຕ່ໍາ ESL ແລະ ESR;

5. High pulse Current.

ໂດຍການນໍາໃຊ້ການກໍ່ສ້າງພາຍໃນ inductance ຕ່ໍາ, ກໍລະນີຢາງ molded ທາງເລືອກ, ແລະການຢຸດເຊົາທີ່ກໍາຫນົດເອງ, SMJ-P Series ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບການປ່ຽນໄວ IGBTS ແລະສາມາດເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນ snubbers ແລະການກັ່ນຕອງການປ້ອນຂໍ້ມູນທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງໃນປະຈຸບັນ.

ຮູບພາບລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ:

ຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ:

ພວກເຮົາຢູ່ກັບຈິດໃຈຂອງບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາ "ຄຸນນະພາບ, ການປະຕິບັດ, ນະວັດກໍາແລະຄວາມຊື່ສັດ".We goal to create more value for our clients with our abundant resources, advanced machinery, experienced workers and superb solutions for Wholesale Price China Ac Film Capacitor - Metalized film IGBT Snubber capacitor – CRE , The product will supply to all over the world, such as : Albania, Mecca, Mongolia, ຜະລິດຕະພັນທັງຫມົດຂອງພວກເຮົາຖືກສົ່ງອອກໄປໃຫ້ລູກຄ້າໃນປະເທດອັງກິດ, ເຢຍລະມັນ, ຝຣັ່ງ, ສະເປນ, ອາເມລິກາ, ການາດາ, ອີຣ່ານ, ອີຣັກ, ຕາເວັນອອກກາງແລະອາຟຣິກາ.ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາໄດ້ຮັບການຕ້ອນຮັບຢ່າງດີຈາກລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາສໍາລັບຄຸນນະພາບສູງ, ລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນແລະຮູບແບບທີ່ເອື້ອອໍານວຍທີ່ສຸດ.ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະສ້າງຄວາມສໍາພັນທາງທຸລະກິດກັບລູກຄ້າທັງຫມົດແລະນໍາເອົາສີສັນທີ່ສວຍງາມສໍາລັບຊີວິດ.

Ac Filter ສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ Eps

Capacitor ລົດໄຟຟ້າ

ໄຟຟ້າແຮງດັນສູງ Capacitor ເອເລັກໂຕຣນິກ

Inverter Dc Link Capacitor

Pfc Capacitor

Power Capacitor Bank

Power Capacitor ສໍາລັບ Dc Link

Screw/Nut Terminal Resonance Film Capacitor

ຕົວເກັບປະຈຸ polypropylene ການປິ່ນປົວດ້ວຍຕົນເອງ

Snubber Capacitor

ພວກເຮົາໄດ້ຮັບການຮ່ວມມືກັບບໍລິສັດນີ້ເປັນເວລາຫລາຍປີ, ບໍລິສັດສະເຫມີຮັບປະກັນການຈັດສົ່ງທີ່ທັນເວລາ, ຄຸນະພາບດີແລະຈໍານວນທີ່ຖືກຕ້ອງ, ພວກເຮົາເປັນຄູ່ຮ່ວມງານທີ່ດີ.