ຈີນ ROHS ແລະ REACH ປະຕິບັດຕາມ Axial snubber capacitor SMJ-TE ໂຮງງານຜະລິດແລະຜູ້ສະຫນອງ |CRE

ROHS ແລະ REACH ປະຕິບັດຕາມ Axial snubber capacitor SMJ-TE

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Snubber capacitor
ຊ່ວງ CRE ຂອງ IGBT snubber capacitor ແມ່ນ ROHS ແລະ REACH ສອດຄ່ອງ.

1. ຄຸນລັກສະນະຕ້ານການໄຟໄໝ້

2. enclosure ພາດສະຕິກຫຼື Mylar tape enclosure

3. ປາຍ epoxy ເຕັມໄປ

4. ສອດຄ່ອງກັບ UL94

5. ການອອກແບບທີ່ກໍາຫນົດເອງສາມາດໃຊ້ໄດ້

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຊຸດ SMJ-TE

ຕົວເກັບປະຈຸ snubber film polypropylene ໂລຫະ

ການປິ່ນປົວດ້ວຍຕົນເອງ, ປະເພດແຫ້ງ, ອົງປະກອບຂອງຕົວເກັບປະຈຸ snubber ແມ່ນຜະລິດໂດຍໃຊ້ຮູບເງົາ PP ທີ່ມີໂຄງສ້າງພິເສດ, ຕັດດ້ວຍຄື້ນ, ເຊິ່ງຮັບປະກັນການ inductance ຕົນເອງຕ່ໍາ, ຄວາມຕ້ານທານ rupture ສູງແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ.ການຕັດການເຊື່ອມຕໍ່ເກີນຄວາມກົດດັນແມ່ນບໍ່ຖືວ່າມີຄວາມຈໍາເປັນ.ດ້ານເທິງຂອງຕົວເກັບປະຈຸແມ່ນປະທັບຕາດ້ວຍ epoxy ທີ່ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມທີ່ສະກັດກັ້ນຕົນເອງ.ການອອກແບບພິເສດຮັບປະກັນຕົນເອງ inductance ຕ່ໍາຫຼາຍ.

ຕາຕະລາງສະເພາະ

SMJ-TE Axial Capacitor
ແຮງດັນ		Un630V.DC;Urms400Vac; Us 945V
ຄວາມຈຸ(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ມມ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	໑໓໐	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224	14.2
ແຮງດັນ		Un 1000V.DC;Urms 500Vac; Us 1500V
ຄວາມຈຸ(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ມມ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	ປີ 1974	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
ແຮງດັນ		Un 1200V.DC;Urms 550Vac; Us 1800V
ຄວາມຈຸ(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ມມ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	໑໓໐	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	ປີ 1974	18.2
ແຮງດັນ		Un 1700V.DC;Urms 600Vac; Us 2550V
ຄວາມຈຸ(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ມມ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	໑໓໐	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800	18.2
ແຮງດັນ		Un 2000V.DC;Urms 700Vac; Us 3000V
ຄວາມຈຸ(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ມມ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540	17.8
ແຮງດັນ		Un 3000V.DC;Urms 750Vac; Us 4500V
ຄວາມຈຸ(uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (ມມ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5