ຜູ້ຜະລິດ OEM Power Capacitor ຟິມອີເລັກໂທຣນິກ - ການອອກແບບຕົວເກັບປະຈຸຟິມ snubber ສູງສຸດຂອງປະຈຸບັນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ IGBT - CRE

ຜູ້ຜະລິດ OEM Power Capacitor ຟິມອີເລັກໂທຣນິກ - ການອອກແບບຕົວເກັບປະຈຸຟິມ snubber ສູງສຸດທີ່ສູງທີ່ສຸດສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ IGBT - ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ CRE

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ວິດີໂອທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ຄຳຕິຊົມ (2)

ພວກເຮົາສະຫນອງພະລັງງານທີ່ດີໃນຄຸນນະພາບສູງແລະຄວາມຄືບຫນ້າ, ການຄ້າ, ລາຍຮັບແລະການຕະຫຼາດອິນເຕີເນັດແລະການດໍາເນີນງານສໍາລັບໄຟຟ້າແຮງດັນສູງ Capacitor ເອເລັກໂຕຣນິກ , ຕົວເກັບປະຈຸ inductance ຕ່ໍາ , ການອອກແບບ Capacitor ຮູບເງົາ, ພວກເຮົາຍິນດີຕ້ອນຮັບລູກຄ້າ, ສະມາຄົມທຸລະກິດແລະຫມູ່ເພື່ອນຈາກທຸກພາກສ່ວນຂອງໂລກຕິດຕໍ່ພວກເຮົາແລະຊອກຫາການຮ່ວມມືເພື່ອຜົນປະໂຫຍດເຊິ່ງກັນແລະກັນ.

ຜູ້ຜະລິດ OEM Power Capacitor ຟິມອີເລັກໂທຣນິກ - ການອອກແບບຕົວເກັບປະຈຸຟິມ snubber ສູງສຸດຂອງປະຈຸບັນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ IGBT - ລາຍລະອຽດ CRE:

ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ

ຊ່ວງອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ	ອຸນຫະພູມປະຕິບັດສູງສຸດ, ສູງສຸດ, ສູງສຸດ: +105 ℃ ອຸນຫະພູມປະເພດເທິງ: +85℃ ອຸນຫະພູມປະເພດຕ່ໍາ: -40 ℃
ຊ່ວງຄວາມຈຸ	0.1μF～5.6μF
ແຮງດັນທີ່ຈັດອັນດັບ	700V.DC ຫາ 3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ	1.5Un DC / 10S
ປັດໄຈການກະຈາຍ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ຄວາມຕ້ານທານ insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ທົນທານຕໍ່ການປະທ້ວງໃນປະຈຸບັນ	ເບິ່ງແຜ່ນຂໍ້ມູນ
ການຕ້ານການໄຟໄຫມ້	UL94V-0
ອາຍຸໄຂ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ມາດຕະຖານອ້າງອີງ	IEC61071;GB/T17702;

ຕາຕະລາງສະເພາະ

ແຮງດັນ	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimension (ມມ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ແຮງດັນ	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimension (ມມ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	ປີ 1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ແຮງດັນ	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	ປີ 1974	32
ແຮງດັນ	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ແຮງດັນ	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ແຮງດັນ	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ຮູບພາບລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ:

ຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ:

ເພື່ອເພີ່ມທະວີການຄຸ້ມຄອງບໍລິຫານຢ່າງເປັນປົກກະຕິຈາກກົດໝາຍ “ດ້ວຍຄວາມຈິງໃຈ, ສາສະໜາທີ່ດີ ແລະ ຄຸນນະພາບສູງເປັນພື້ນຖານຂອງການພັດທະນາວິສາຫະກິດ”, ພວກຂ້າພະເຈົ້າໄດ້ດູດຊຶມເນື້ອໃນຂອງບັນດາຜະລິດຕະພັນທີ່ເຊື່ອມໂຍງເຂົ້າກັບສາກົນ, ແລະ ຜະລິດສິນຄ້າໃໝ່ຢ່າງບໍ່ຢຸດຢັ້ງເພື່ອຕອບສະໜອງຄວາມຮຽກຮ້ອງຕ້ອງການຂອງຜູ້ຊື້. for OEM Manufacturer Power Electronic Film Capacitor - High peak current snubber film capacitors design for IGBT power electronics applications – CRE , ຜະລິດຕະພັນຈະສະຫນອງໃຫ້ແກ່ທົ່ວໂລກ, ເຊັ່ນ: Croatia, Miami, Hungary, ພວກເຮົາປະຈຸບັນກໍາລັງຊອກຫາຕໍ່ກັບເຖິງແມ່ນວ່າ ການຮ່ວມມືຫຼາຍກວ່າເກົ່າກັບລູກຄ້າຢູ່ຕ່າງປະເທດໂດຍອີງໃສ່ຜົນປະໂຫຍດເຊິ່ງກັນແລະກັນ.ພວກເຮົາຈະເຮັດວຽກຢ່າງສຸດໃຈເພື່ອປັບປຸງຜະລິດຕະພັນ ແລະການບໍລິການຂອງພວກເຮົາ.ພວກເຮົາຍັງສັນຍາວ່າຈະເຮັດວຽກຮ່ວມກັນກັບຄູ່ຮ່ວມທຸລະກິດເພື່ອຍົກລະດັບການຮ່ວມມືຂອງພວກເຮົາໃຫ້ສູງຂຶ້ນແລະແບ່ງປັນຜົນສໍາເລັດຮ່ວມກັນ.ຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານມາຢ້ຽມຢາມໂຮງງານຂອງພວກເຮົາດ້ວຍຄວາມຈິງໃຈ.

Axial Snubber Film Capacitor

ຕົວເກັບປະຈຸ Ac ທີ່ອອກແບບເອງ

Capacitor ຖົງຢາງກະບອກ

Capacitor ຮູບເງົາປະເພດແຫ້ງ

Ess Capacitor

ຟິມ Capacitor ສໍາລັບລະບົບພະລັງງານພະລັງງານໃຫມ່

ຕົວເກັບປະຈຸການກັ່ນຕອງ Ac ປະສິດທິພາບສູງ

Induction Heating Power Supply Capacitor

Capacitor ຟິມ Metallized ສໍາລັບ Cell Proliferator

Snubber Film Capacitor

ໃນຜູ້ຄ້າສົ່ງທີ່ຮ່ວມມືຂອງພວກເຮົາ, ບໍລິສັດນີ້ມີຄຸນນະພາບທີ່ດີທີ່ສຸດແລະລາຄາທີ່ເຫມາະສົມ, ພວກເຂົາເປັນທາງເລືອກທໍາອິດຂອງພວກເຮົາ.

ໂດຍ Klemen Hrovat ຈາກ Croatia - 2018.08.12 12:27.

ບໍລິສັດນີ້ມີແນວຄວາມຄິດຂອງ "ຄຸນນະພາບທີ່ດີກວ່າ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການປຸງແຕ່ງຕ່ໍາ, ລາຄາແມ່ນສົມເຫດສົມຜົນ", ດັ່ງນັ້ນພວກເຂົາມີຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນແລະລາຄາທີ່ແຂ່ງຂັນ, ນັ້ນແມ່ນເຫດຜົນຕົ້ນຕໍທີ່ພວກເຮົາເລືອກທີ່ຈະຮ່ວມມື.

ໂດຍ John biddlestone ຈາກສະຫະລັດອາຣັບເອມີເຣດ - 2018.09.21 11:01.