• bb

ໂຮງງານຜະລິດ OEM ສໍາລັບຕົວເກັບປະຈຸອາລູມິນຽມ - snubber ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນສູງ - CRE

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ວິດີໂອທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ຄຳຕິຊົມ (2)

ພວກເຮົາສະຫນອງພະລັງງານທີ່ດີໃນຄຸນນະພາບສູງແລະຄວາມຄືບຫນ້າ, ການຄ້າ, ລາຍຮັບແລະການຕະຫຼາດອິນເຕີເນັດແລະການດໍາເນີນງານສໍາລັບພະລັງງານ Electronic Capacitor , Dc-Link Capacitor ສໍາລັບຕົວແປງຄວາມຖີ່ , ຕົວເກັບປະຈຸວົງຈອນ Igbt, ຖ້າຫາກວ່າທ່ານມີຄວາມສົນໃຈພາຍໃນຜະລິດຕະພັນແລະວິທີແກ້ໄຂຂອງພວກເຮົາ, ທ່ານຄວນມາມີຄວາມຮູ້ສຶກຢ່າງແທ້ຈິງທີ່ຈະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາສອບຖາມຂອງທ່ານ.ພວກເຮົາຫວັງຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະຢືນຢັນຄວາມສໍາພັນຂອງບໍລິສັດ win-win ກັບທ່ານ.
ໂຮງງານຜະລິດ OEM ສໍາລັບອາລູມິນຽມສາມາດ Capacitor - snubber ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນສູງ - ລາຍລະອຽດ CRE:

ຂໍ້​ມູນ​ດ້ານ​ວິ​ຊາ​ການ

ຊ່ວງອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ສູງ​ສຸດ​, ສູງ​ສຸດ​: +105​℃​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ເພດ​ເທິງ​: +85℃​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ເພດ​ຕ​່​ໍ​າ​: -40℃
ຊ່ວງຄວາມຈຸ 0.1μF~5.6μF
ແຮງດັນທີ່ຈັດອັນດັບ 700V.DC ຫາ 3000V.DC
Cap.tol ±5%(J);±10%(K)
ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ 1.5Un DC / 10S
ປັດໄຈການກະຈາຍ tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ຄວາມຕ້ານທານ insulation

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)

ທົນທານຕໍ່ການປະທ້ວງໃນປະຈຸບັນ

ເບິ່ງແຜ່ນຂໍ້ມູນ

ການຕ້ານການໄຟໄຫມ້

UL94V-0

ອາ​ຍຸ​ໄຂ

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

ມາດຕະຖານອ້າງອີງ

IEC61071;GB/T17702;

ຕາຕະລາງສະເພາະ

ແຮງດັນ Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimension (ມມ)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 33
ແຮງດັນ Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Dimension (ມມ)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 ປີ 1974 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
ແຮງດັນ Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 ປີ 1974 32
ແຮງດັນ Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 32
ແຮງດັນ Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 32
ແຮງດັນ Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 28

ຮູບ​ພາບ​ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​:

ໂຮງງານຜະລິດ OEM ສໍາລັບອາລູມິນຽມສາມາດ Capacitor - snubber ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນສູງ - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE

ໂຮງງານຜະລິດ OEM ສໍາລັບອາລູມິນຽມສາມາດ Capacitor - snubber ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນສູງ - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE

ໂຮງງານຜະລິດ OEM ສໍາລັບອາລູມິນຽມສາມາດ Capacitor - snubber ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນສູງ - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE

ໂຮງງານຜະລິດ OEM ສໍາລັບອາລູມິນຽມສາມາດ Capacitor - snubber ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນສູງ - ຮູບພາບລາຍລະອຽດ CRE


ຄູ່ມືຜະລິດຕະພັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ:

With advanced technologies and facilities, strict good quality manage, reasonable rate, superior helpful and close co-operation with shoppers, we have been devoted to supply the very best price for our consumers for OEM Factory for Aluminum Can Capacitor - snubber ຄຸນະພາບສູງທີ່ມີສູງ ຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດກໍາມະຈອນ – CRE , ຜະລິດຕະພັນຈະສະຫນອງໃຫ້ແກ່ທົ່ວໂລກ, ເຊັ່ນ: ປະເທດເອຢິບ, ຊີແອດເທິລ, Karachi, ຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາແມ່ນຜະລິດດ້ວຍວັດຖຸດິບທີ່ດີທີ່ສຸດ.ທຸກເວລາ, ພວກເຮົາປັບປຸງໂຄງການການຜະລິດຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.ເພື່ອຮັບປະກັນຄຸນນະພາບແລະການບໍລິການທີ່ດີກວ່າ, ພວກເຮົາໄດ້ສຸມໃສ່ຂະບວນການຜະລິດ.ພວກເຮົາໄດ້ຮັບການຍ້ອງຍໍຈາກຄູ່ຮ່ວມງານ.ພວກເຮົາຫວັງວ່າຈະສ້າງຄວາມສໍາພັນທາງທຸລະກິດກັບທ່ານ.
  • ໃນປະເທດຈີນ, ພວກເຮົາໄດ້ຊື້ຫຼາຍຄັ້ງ, ເວລານີ້ແມ່ນປະສົບຜົນສໍາເລັດແລະຫນ້າພໍໃຈທີ່ສຸດ, ຜູ້ຜະລິດຈີນທີ່ຈິງໃຈແລະຈິງໃຈ! 5 ດາວ ໂດຍ Clara ຈາກ Barbados - 2017.01.28 18:53
    ຫຼັງຈາກການລົງນາມໃນສັນຍາ, ພວກເຮົາໄດ້ຮັບສິນຄ້າທີ່ຫນ້າພໍໃຈໃນໄລຍະສັ້ນ, ນີ້ແມ່ນຜູ້ຜະລິດທີ່ຫນ້າຊົມເຊີຍ. 5 ດາວ ໂດຍ Miranda ຈາກຄູເວດ - 2017.08.21 14:13

    ສົ່ງຂໍ້ຄວາມຂອງເຈົ້າຫາພວກເຮົາ:

    ຂຽນຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານທີ່ນີ້ແລະສົ່ງໃຫ້ພວກເຮົາ

    ສົ່ງຂໍ້ຄວາມຂອງເຈົ້າຫາພວກເຮົາ: