ການອອກແບບຕົວເກັບປະຈຸຟິມ snubber ສູງສຸດໃນປະຈຸບັນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ IGBT

ການອອກແບບຕົວເກັບປະຈຸຮູບເງົາ snubber ສູງສຸດໃນປະຈຸບັນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ IGBT ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

IGBT snubber SMJ-P

1. ກໍລະນີພາດສະຕິກ, ຜະນຶກເຂົ້າກັນດ້ວຍຢາງ;

2. ແຜ່ນທອງແດງທີ່ເຮັດດ້ວຍກົ່ວ, ການຕິດຕັ້ງງ່າຍສໍາລັບ IGBT;

3. ຄວາມຕ້ານທານກັບແຮງດັນສູງ, tgδຕ່ໍາ, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອຸນຫະພູມຕ່ໍາ;

4. ຕ່ໍາ ESL ແລະ ESR;

5. High pulse Current.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ

ຊ່ວງອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ	ອຸນຫະພູມປະຕິບັດສູງສຸດ, ສູງສຸດ, ສູງສຸດ: +105 ℃ ອຸນຫະພູມປະເພດເທິງ: +85℃ ອຸນຫະພູມປະເພດຕ່ໍາ: -40 ℃
ຊ່ວງຄວາມຈຸ	0.1μF～5.6μF
ແຮງດັນທີ່ຈັດອັນດັບ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ	1.5Un DC / 10S
ປັດໄຈການກະຈາຍ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ຄວາມຕ້ານທານ insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (at20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S(at20℃ 100V.DC 60S)
ທົນທານຕໍ່ການປະທ້ວງໃນປະຈຸບັນ	ເບິ່ງແຜ່ນຂໍ້ມູນ
ການຕ້ານການໄຟໄຫມ້	UL94V-0
ອາຍຸໄຂ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ມາດຕະຖານອ້າງອີງ	IEC61071;GB/T17702;

ຕາຕະລາງສະເພາະ

ແຮງດັນ	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Dimension (ມມ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ແຮງດັນ	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Dimension (ມມ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	ປີ 1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ແຮງດັນ	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	ປີ 1974	32
ແຮງດັນ	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ແຮງດັນ	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ແຮງດັນ	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28