Snubber Capacitor ຟິມກະແສໄຟຟ້າສູງສໍາລັບເຄື່ອງເຊື່ອມ (SMJ-TC)

ຮູບພາບທີ່ມີປະຈຸບັນສູງ Capacitor Snubber ສໍາລັບເຄື່ອງເຊື່ອມໂລຫະ (SMJ-TC) ຮູບພາບທີ່ແນະນໍາ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ຮູບແບບຕົວເກັບປະຈຸ: SMJ-TC

ຄຸນລັກສະນະ:

1. electrodes ແກ່ນທອງແດງ

2. ຂະຫນາດທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂະຫນາດນ້ອຍແລະການຕິດຕັ້ງງ່າຍ

3. ເທບເທບ Mylar winding technology

4. ການຕື່ມຢາງແຫ້ງ

5. Low Equivalent Series Inductance (ESL) and Equivalent Series Resistance (ESR)

ແອັບພລິເຄຊັນ:

1. GTO Snubber

2. ແຮງດັນສູງສຸດແລະການດູດຊຶມກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດແລະການປົກປ້ອງອົງປະກອບສະຫຼັບໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ

ວົງຈອນ Snubber ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບ diodes ທີ່ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບ.ມັນສາມາດຊ່ວຍປະຢັດ diode ຈາກການ overvoltage spikes, ເຊິ່ງອາດຈະເກີດຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການຟື້ນຟູຄືນ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ

ຊ່ວງອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ	ອຸນຫະພູມປະຕິບັດສູງສຸດ, ສູງສຸດ: + 85 ℃ອຸນຫະພູມປະເພດເທິງ: +85 ℃ອຸນຫະພູມປະເພດຕ່ໍາ: -40℃
ຊ່ວງຄວາມຈຸ	0.22～3μF
ແຮງດັນທີ່ຈັດອັນດັບ	3000V.DC ～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ	1.35Un DC/10S
ປັດໄຈການກະຈາຍ	tgδ≤0.001 f=1KHz
ຄວາມຕ້ານທານ insulation	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ທີ່ 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ທີ່ 20℃ 100V.DC 60S)
ທົນທານຕໍ່ການປະທ້ວງໃນປະຈຸບັນ	ເບິ່ງແຜ່ນຂໍ້ມູນ
ອາຍຸໄຂ	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
ມາດຕະຖານອ້າງອີງ	IEC 61071 ;

ຄຸນນະສົມບັດ

1. ເທບ Mylar, ຜະນຶກເຂົ້າກັນດ້ວຍຢາງ;

2. ທອງແດງ nut ນໍາ;

3. ຄວາມຕ້ານທານກັບແຮງດັນສູງ, tgδຕ່ໍາ, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອຸນຫະພູມຕ່ໍາ;

4. ຕ່ໍາ ESL ແລະ ESR;

5. High pulse Current.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

1. GTO Snubber.

2. ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານໃນເວລາທີ່ແຮງດັນສູງສຸດ, ການປ້ອງກັນການດູດຊຶມສູງສຸດໃນປະຈຸບັນ.

ວົງຈອນປົກກະຕິ

ໂຄງຮ່າງການແຕ້ມຮູບ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

Un=3000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	L(ມມ)	L1(ມມ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	L(ມມ)	L1(ມມ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	L(ມມ)	L1(ມມ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	L(ມມ)	L1(ມມ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	L(ມມ)	L1(ມມ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	໑໑໔	໑໒໓	35	1500	495	30
0.47	54	໑໑໔	໑໒໓	35	1300	611	35
0.68	65	໑໑໔	໑໒໓	35	1200	816	40
1	78	໑໑໔	໑໒໓	30	1000	1000	55
1.5	95	໑໑໔	໑໒໓	30	800	1200	70