ຕົວເກັບປະຈຸ GTO snubber ໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ

ຄໍາອະທິບາຍສັ້ນໆ:

ວົງຈອນ Snubber ແມ່ນສິ່ງຈຳເປັນສຳລັບໄດໂອດທີ່ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະວິດຊິງ. ມັນສາມາດຊ່ວຍປະຢັດໄດໂອດຈາກແຮງດັນໄຟຟ້າເກີນທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນເລື້ອຍໆ ເຊິ່ງອາດຈະເກີດຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫລດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍຜະລິດຕະພັນ

ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການ

ຊ່ວງອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ	ອຸນຫະພູມສູງສຸດ, ອຸນຫະພູມສູງສຸດ: + 85℃, ອຸນຫະພູມສູງສຸດ: +85℃
ຂອບເຂດຄວາມຈຸ	0.22～3μF
ແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ໄດ້ຮັບການຈັດອັນດັບ	3000V.DC ~ 10000V.DC
ແຄບ.ໂທລ	±5%(ຈູນ) ;±10%(ເຄນ)
ທົນຕໍ່ແຮງດັນ	1.35Un DC/10S
ປັດໄຈການກະຈາຍ	tgδ≤0.001 f=1KHz
ຄວາມຕ້ານທານການສນວນ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (ທີ່ 20 ℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (ທີ່ 20 ℃ 100V.DC 60S)
ທົນທານຕໍ່ກະແສໄຟຟ້າທີ່ກະທົບກະເທືອນ	ເບິ່ງແຜ່ນຂໍ້ມູນ
ອາຍຸຍືນສະເລ່ຍ	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
ມາດຕະຖານອ້າງອີງ	IEC 61071;

ຄຸນສົມບັດ

1. ເທບ Mylar, ຜະນຶກດ້ວຍຢາງ;

2. ສາຍທອງແດງນຳ;

3. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ແຮງດັນສູງ, tgδ ຕໍ່າ, ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອຸນຫະພູມຕໍ່າ;

4. ESL ແລະ ESR ຕ່ຳ;

5. ກະແສໄຟຟ້າກຳມະຈອນສູງ.

ແອັບພລິເຄຊັນ

1. GTO ສະນັບເບີ.

2. ນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານເມື່ອແຮງດັນສູງສຸດ, ການປ້ອງກັນການດູດຊຶມກະແສໄຟຟ້າສູງສຸດ.

ວົງຈອນທົ່ວໄປ

ຮູບແຕ້ມໂຄງຮ່າງ

ລາຍລະອຽດ

Un=3000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	ລວງຍາວ (ມມ)	L1(ມມ)	ໂຣກ ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	ອິບຄ໌ (A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	ລວງຍາວ (ມມ)	L1(ມມ)	ໂຣກ ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	ອິບຄ໌ (A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	ລວງຍາວ (ມມ)	L1(ມມ)	ໂຣກ ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	ອິບຄ໌ (A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	ລວງຍາວ (ມມ)	L1(ມມ)	ໂຣກ ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	ອິບຄ໌ (A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
ຄວາມຈຸ (μF)	φD (ມມ)	ລວງຍາວ (ມມ)	L1(ມມ)	ໂຣກ ESL (nH)	dv/dt(V/μS)	ອິບຄ໌ (A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70